E5V3 E5V4的原生核心數(shù)量整理

前作：【圖吧日?！縀5 1620V3V4 2630V4熱法開蓋+核心對(duì)比

通過開蓋對(duì)比可以看到V4完全是一樣的核心，結(jié)果屏蔽的4核超上3.5G比十核2.2G還貴

評(píng)論區(qū)詢問1620v3是不是原生8核的die，簡(jiǎn)單查詢。

結(jié)果是E5V3的Haswell-EP的die分為三種，按核心數(shù)從高到低分別為HCC、MCC、LCC，分別負(fù)責(zé)14-18核心、6-12核心與4-8核心的產(chǎn)品。

LCC與MCC共同負(fù)責(zé)6-8核心產(chǎn)品，所以開蓋可能會(huì)抽獎(jiǎng)。

除了最低的LCC外，核心較多的兩個(gè)版本都配備了雙環(huán)形總線和雙內(nèi)存控制器。同時(shí)LLC（此處為L(zhǎng)3緩存）也分為兩組。兩個(gè)環(huán)形總線之間使用Buffer Switch相連，也就是連接了這兩組ring所屬的L3緩存。

然后是14nm的E5V4，現(xiàn)在這個(gè)U也相當(dāng)便宜了。

E5V4的Broadwell-EP總共擁有三個(gè)原生Die(芯片)，LCCDie有2列10個(gè)核心，MCCDie有3列15個(gè)核心，HCCDie則有4列24個(gè)核心。

所以到了E5V4的10核20線的2630V4其實(shí)就和4核8線的1620V4是使用的完全一樣的核心了（和E5V2使用的原生6核、10核、12核分別屏蔽不一樣）。所以這也解釋了為何E5V1的1620比V4還貴。E5V1的原生die核心數(shù)是4和8，1620要么是原生四核要么從八核屏蔽。

E5V4之后，由于核心數(shù)目增多，造成Ring Bus喚醒總線無(wú)論平均跳數(shù)和最大跳數(shù)都增加到嚴(yán)重影響性能的程度，不得已采用雙Ring結(jié)構(gòu)（過去E5V2超過10核的E7屏蔽產(chǎn)品也使用了多環(huán)形總線的結(jié)構(gòu)，3條環(huán)形總線穿的12核心實(shí)際體驗(yàn)不如原生單環(huán)形總線的10核好）。

E5V2的3環(huán)形總線結(jié)構(gòu)

Intel在Skylake中引入新的Mesh總線（消費(fèi)級(jí)不使用），但是已經(jīng)和X99無(wú)關(guān)了，屬于是X299的范疇，可能X299在降價(jià)之后會(huì)考慮入手，但是據(jù)說不是全系釬焊的U和相比X99的提升幅度可能會(huì)打消升級(jí)的動(dòng)力。