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北京西城質(zhì)檢高低溫循環(huán)測(cè)試CNAS報(bào)告

2023-11-29 11:09 作者:可靠性及EMC測(cè)試  | 我要投稿

?高低溫循環(huán)測(cè)試(又名高低溫循環(huán)試驗(yàn)、高低溫試驗(yàn)等)主要是針對(duì)于電工、電子產(chǎn)品,以及其原器件,及其它材料在高溫、低溫的環(huán)境下貯存、運(yùn)輸、使用時(shí)的適應(yīng)性試驗(yàn)。檢測(cè)試驗(yàn)找儀綜所實(shí)驗(yàn)室彭光瓊V136-9109-3503.

  高低溫循環(huán)測(cè)試是指設(shè)定溫度從-50°C保持4個(gè)小時(shí)后,升溫到 +90°C ,然后,在+90°保持4個(gè)小時(shí),降溫到-50°C,依次做N個(gè)循環(huán)。

  工業(yè)級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)為-40°C ~ +85°C,因?yàn)闇叵渫ǔ?huì)存在溫差,為保證到客戶(hù)端不會(huì)因?yàn)闇囟绕顚?dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一致,內(nèi)部測(cè)試建議使用標(biāo)準(zhǔn)溫度±5°C溫差來(lái)測(cè)試。

測(cè)試流程:

  1、在樣品斷電的狀態(tài)下,先將溫度下降到-50°C,保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試,非常重要,因?yàn)橥姞顟B(tài)下,芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度,所以,在通電狀態(tài)下,通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試,必須先將其“凍透”,再次通電進(jìn)行測(cè)試。

  2、開(kāi)機(jī),對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試,對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

  3、進(jìn)行老化測(cè)試,觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

  4、升溫到+90°C,保持4個(gè)小時(shí),與低溫測(cè)試相反,升溫過(guò)程不斷電,保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),4個(gè)小時(shí)后,執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

  5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

  如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài),則視為測(cè)試失敗。

  參考標(biāo)準(zhǔn)

GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法

?北京儀綜所高低溫環(huán)境實(shí)驗(yàn)室提供一站式檢驗(yàn)檢測(cè)托管式檢測(cè)服務(wù),出具國(guó)家認(rèn)可的第三方檢測(cè)報(bào)告。


北京西城質(zhì)檢高低溫循環(huán)測(cè)試CNAS報(bào)告的評(píng)論 (共 條)

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