【2024暢研材科基帶背】第7期 晶體缺陷二 材料科學(xué)基礎(chǔ) 沖刺知識(shí)點(diǎn)帶背 暢研
2023-10-05 12:15 作者:追求進(jìn)步的宇 | 我要投稿
兩種點(diǎn)缺陷：肖特基缺陷離開平衡位置遷移到表面的正常節(jié)點(diǎn)位置，內(nèi)部留下空位；弗倫克爾缺陷原子擠入點(diǎn)陣的空隙位置，形成數(shù)目相等的空位和間隙原子
點(diǎn)缺陷是熱平衡缺陷，點(diǎn)缺陷造成點(diǎn)陣畸變，內(nèi)能增高，降低穩(wěn)定性，另一方面增大混亂程度，熵增大，增加熱力學(xué)穩(wěn)定性。
空位平衡濃度
點(diǎn)缺陷的運(yùn)動(dòng)：遷移和復(fù)合
點(diǎn)缺陷對(duì)材料性能的影響：
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