書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：光刻前GaAs表面處理

編號：JFKJ-21-192

作者：炬豐科技

關鍵詞:光刻膠，砷化鎵，濕法蝕刻，表面處理，輪廓?

摘要 ?

? 幾個在補救的實驗結果噴濕化學品時，光刻膠粘附失效報道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蝕。幾個確定了影響?zhàn)じ胶宛じ降囊蛩夭捎脤嶒炘O計方法研究選定因素的影響和相互作用。最顯著的附著力改善確定是在蝕刻之前加入天然氧化物光阻劑的外套。除提高附著力外，這種預涂處理也改變了濕蝕刻輪廓砷化鎵使蝕刻反應受限較多與未經過表面處理的晶圓片相比各向同性;輪廓都有一個積極的錐度，但錐角并不相同。

介紹 ?

? 光刻膠的附著力能起到至關重要的作用濕法蝕刻的結果和隨后產生的電流和光學設備。有很多因素可以有助于光刻膠在半導體上的粘附襯底。然而，具體的信息很少砷化鎵在開放文獻和 硅常用的方法，如六甲基二硅氮烷預處理對GaAs可能無效。 此外，GaAs的表面難以控制能對看似微小的工藝條件十分敏感。

背景:過程變化????略

濕法腐蝕過程?????略

抵制粘附能源部???略