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IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飛凌MOS管IMBF170R1K0M1

型號(hào)：IMBF170R1K0M1

品牌：英飛凌

封裝：TO-263

最大漏源電流：31A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：99mΩ

引腳數(shù)量：3

特點(diǎn)

革命性的半導(dǎo)體材料-碳化硅

針對(duì)飛回拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化

12V/0V柵極-源極電壓與大多數(shù)飛回控制器兼容

非常低的開(kāi)關(guān)損耗

基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS（th）=4.5V

用于EMI優(yōu)化的完全可控dV/dt

溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管

特性：N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的IMBF170R1K0M1 MOS管

??ASEMI代理英飛凌品牌IMBF170R1K0M1是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了IMBF170R1K0M1的最大漏源電流31A，漏源擊穿電壓600V.