1.由于實(shí)驗(yàn)需要，購買了一批摻雜濃度約為1.0x10的15次方cm的-3次方的n型硅片，請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)測試實(shí)驗(yàn)（涵蓋用什么測試方法、如何制樣、制樣過程的關(guān)鍵步驟），分析該硅片具體的半導(dǎo)體參數(shù)（半導(dǎo)體類型、載流子濃度、遷移率、電導(dǎo)率、擴(kuò)散系數(shù)），并闡述影響其遷移率的因素。