磁控濺射工藝概述
磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種常見的物理氣相沉積 (PVD) 工藝，是制造半導(dǎo)體、磁盤驅(qū)動(dòng)器和光學(xué)膜層的主要薄膜沉積方法。磁控濺射具有速度快、溫度低、損傷小等優(yōu)點(diǎn)，其關(guān)鍵特點(diǎn)是使用一個(gè)磁場(chǎng)來(lái)控制并增強(qiáng)濺射過程。
在20世紀(jì)60年代后期，科研人員開始嘗試將磁場(chǎng)引入濺射過程中，這便是磁控濺射技術(shù)的起源。從70年代到90年代，磁控濺射技術(shù)得到了進(jìn)一步的發(fā)展和優(yōu)化，其應(yīng)用領(lǐng)域也不斷拓寬。進(jìn)入21世紀(jì)，磁控濺射已經(jīng)成為了制備薄膜的主要技術(shù)之一，被廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)等領(lǐng)域。
磁控濺射源分為平衡式和非平衡式。在平衡磁控濺射源中，靶材朝向襯底的一面放置一對(duì)環(huán)狀的永磁鐵，一斷靠近靶材中心，一端靠近靶材邊緣。這兩個(gè)永磁鐵的磁性方向相反，從而在靶材前面形成一個(gè)閉合的磁場(chǎng)線環(huán)。在非平衡磁控濺射源中，靶材前面的磁鐵的配置和平衡型的不同，以至于一部分磁場(chǎng)線從靶材邊緣延伸到襯底方向。
磁控濺射源分為平衡式和非平衡式。在平衡磁控濺射源中，靶材朝向襯底的一面放置一對(duì)環(huán)狀的永磁鐵，一斷靠近靶材中心，一端靠近靶材邊緣。這兩個(gè)永磁鐵的磁性方向相反，從而在靶材前面形成一個(gè)閉合的磁場(chǎng)線環(huán)。在非平衡磁控濺射源中，靶材前面的磁鐵的配置和平衡型的不同，以至于一部分磁場(chǎng)線從靶材邊緣延伸到襯底方向。
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