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1700V SiC MOSFET針對(duì)高壓電源應(yīng)用具有較高的耐壓,極低的柵極電荷較小的導(dǎo)通電阻

2023-06-15 10:54 作者:SiC_18928433735  | 我要投稿

1700V SiC?MOSFET針對(duì)高壓電源應(yīng)用而開(kāi)發(fā),具有較高的耐壓,極低的柵極電荷,較小的導(dǎo)通電阻Rds(on)https://pan.baidu.com/s/1064mAUdYeGGTI3X_0qvITA提取碼kkbv

廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),光伏,直流充電樁,儲(chǔ)能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì),可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),降低散熱成本,大幅度減少輔助開(kāi)關(guān)電源成本。更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級(jí)的工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)要求,對(duì)要求高頻的應(yīng)用更是不二選擇,高頻特性讓電路中的磁性單元體積更小,重量更輕。反向恢復(fù)時(shí)間“零”特性讓電路的開(kāi)關(guān)損耗大幅度降低,加上更優(yōu)異的熱傳導(dǎo)系數(shù),讓工程師在設(shè)計(jì)散熱方面不再煩惱。最終讓總體成本得到優(yōu)化。

1700V SiC MOSFET針對(duì)高壓電源應(yīng)用具有較高的耐壓,極低的柵極電荷較小的導(dǎo)通電阻的評(píng)論 (共 條)

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