NPT25100B

GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

NPT25100 硅基 GaN HEMT D 型放大器針對 2.1 - 2.7 GHz 運行進行了優(yōu)化。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達 125 W，采用帶螺栓固定法蘭的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝。

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特征

• 高可靠性鍍金工藝

• 熱增強行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

• 100% 射頻測試

• 可在高達 32V 的電壓下運行

• 10W 線性功率 @ 2.0% EVM，用于單載波 OFDM，10.3dB 峰值/平均值，10MHz 信道帶寬，16.5dB 增益，26% 效率

• 90W P3dB 連續(xù)波功率

• 125W P3dB 峰包功率

• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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產(chǎn)品規(guī)格

• 零件號

• NPT25100B

• 描述

• GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

• 最小頻率(MHz)

• 2100

• 最大頻率(MHz)

• 2700

• 電源電壓(V)

• 28

• PSAT(W)

• 125.0

• 增益（分貝）

• 16.5

• 效率

• 26

• 測試頻率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• 法蘭陶瓷包

• 包裹類別

• 陶瓷制品

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