AMD:即便三星 3nm 工藝良率領(lǐng)先,也依然選擇臺(tái)積電
?7 月 19 日消息,AMD 首席執(zhí)行官蘇姿豐近日會(huì)見(jiàn)了臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家,就下一代 3nm 工藝等關(guān)鍵領(lǐng)域展開(kāi)討論。
雙方雖然目前并未公開(kāi)最新的合作意向,但 DigiTimes 認(rèn)為雙方的合作已經(jīng)至少 2 年,而且這種合作只有繼續(xù)加深,會(huì)延續(xù)到 2nm 工藝。
——當(dāng)然,AMD也將與三星在其他領(lǐng)域進(jìn)一步加深合作。

根據(jù) Hi Investment & Securities 機(jī)構(gòu)近日發(fā)布的報(bào)告,Samsung Foundry,大力發(fā)展 3nm,不斷提升生產(chǎn)工藝、提高生產(chǎn)良率, 現(xiàn)在三納米相關(guān)制成良率以達(dá)到了 60%,高于臺(tái)積電(55%)!

——據(jù) EE Times 報(bào)道,臺(tái)積電先進(jìn)3 納米制程良品率僅 55%,將有近一半成品為非良品,而臺(tái)積電每個(gè)月能夠生產(chǎn) 10 萬(wàn)片 3 納米晶圓,以滿足用戶的需求。然而,在良率只有 55% 的情況下,只有 5.5 萬(wàn)片晶圓是可以使用的。

此外就該報(bào)告顯示,三星4nm 工藝新版本的良率為 75%,相較臺(tái)積電四納米工藝(80%)仍存在一定差距。

——報(bào)道稱由于蘋果獨(dú)占了臺(tái)積電三納米制程90%的產(chǎn)能,所以使得英偉達(dá)、高通等客戶都希望采用三星的第二代 3nm(SF3)工藝。

