50Mn18Cr4V技術(shù)條件

1、 冶煉工藝：EAF+LF

2、化學(xué)成分（%）：

3、機(jī)械性能： (熱處理狀態(tài))

4、低倍組織：經(jīng)酸浸低倍試片上不得有肉眼可見(jiàn)的縮孔、殘余汽泡、皮下汽泡、裂紋、夾雜、反皮、分層及白點(diǎn)等缺陷。

5、 磁性能按GJB937《弱磁性材料導(dǎo)磁率的測(cè)量方法》檢測(cè)。

6、 當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度為200奧氏體時(shí)磁導(dǎo)率u≤1.02Gs/Oe。

7、化學(xué)成分偏差按GB/T222-1984中表2的規(guī)定。