Qorvo 的 UJ3N120065K3S 是一款 1200 V、66 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開(kāi) JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和柵極電荷 (QG)，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。該器件在 VGS = 0 V 時(shí)具有低 RDS(ON) 的常開(kāi)特性，也是無(wú)需主動(dòng)控制的電流保護(hù)電路以及級(jí)聯(lián)操作的理想選擇。

主要特征

• 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：66 mohm（典型值）

• 電壓控制

• 最高工作溫度：175 °C

• 極快的切換速度不依賴(lài)于溫度

• 低柵極電荷

• 低本征電容

VDS 最大值(V)1,200RDS(on) Typ @ 25C?(mohm)66內(nèi)徑最大值(A)34一代第 3 代Tj 最大值(°C)175汽車(chē)資質(zhì)是的包裝類(lèi)型TO-247-3L

UF3N170400B7S

UJ3N065025K3S

UJ3N065080K3S

UJ3N120035K3S

UJ3N120065K3S

UJ3N120070K3S