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　　★第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域所涵蓋的材料技術(shù)、制造工藝技水、電子器件技術(shù)等，都是微電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，也是國際上非常前沿、應(yīng)用前景非常廣闊的技術(shù)之一。第三代半導(dǎo)體材料基于其特有的禁帶貿(mào)度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大等材料性能，在半導(dǎo)體技術(shù)、光電子技術(shù)、電力電子技術(shù)、微波射頻技水、聲波濾波器運(yùn)用等諸多科研和應(yīng)用領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的發(fā)展空間與潛力，對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科技的進(jìn)步和發(fā)展越來越重要。目前非常先進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)，有許多還掌握在國外企業(yè)手中，國內(nèi)企業(yè)和研究人員都在探索屬于自己的技術(shù)方向，但國內(nèi)缺乏這種能夠結(jié)合產(chǎn)學(xué)經(jīng)驗(yàn)的參考書籍及國際前沿技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。本書的及時(shí)出版，恰恰給業(yè)界同人帶來了第三代半導(dǎo)體的技術(shù)路線參考。期望業(yè)界同人共同努力，為我國第三代半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
　　——芯恩（青島）集成電路有限公司創(chuàng)始人，張汝京博士

目錄

序言（張汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質(zhì)
1．2 碳化硅的應(yīng)用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應(yīng)用中的注意事項(xiàng)
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機(jī)電系統(tǒng)
1．4 碳化硅的主要生長方法
1．4．1 籽晶升華生長
1．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學(xué)氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續(xù)進(jìn)料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長
1．4．7 碳化硅外延層技術(shù)的發(fā)展
1．5 新潁趨勢和未來發(fā)展

2 碳化硅材料生長的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術(shù)
2．2．1 生長過程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡介及熱力學(xué)性質(zhì)
2．3．2 生長過程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
2．3．5 晶體形狀控制
2．3．6 晶體應(yīng)力控制
2．3．7 氣相組成對晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩(wěn)定生長的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長過程
2．3．1 1通過生長參數(shù)定制晶體特性
2．4 高溫化學(xué)氣相沉積
2．4．1 化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．3 實(shí)驗(yàn)裝置
2．4．4 提高生長速率的措施
2．4．5 晶體質(zhì)量與生長條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類
2．6．2 缺陷的產(chǎn)生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問題
2．7．2 摻雜對基矢面位錯(cuò)演化的影響
2．7．3 摻雜對晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對費(fèi)米能級(jí)的影響
……

3 碳化硅外延薄膜生長
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢
9 結(jié)語

參考文獻(xiàn)
附錄 本書主要名詞英漢對照表

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前言/序言

　　各位讀者，我和大家一樣，也是一位幸運(yùn)的讀者！很榮幸讀到以姚玉博士為代表的團(tuán)隊(duì)編寫的第二本關(guān)于半導(dǎo)體制造的圖書，也很開心看到一群在我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展道路上敢于挑戰(zhàn)和鉆研的青年，我倍感欣慰！
　　第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域所涵蓋的材料技術(shù)、制造工藝技術(shù)、電子器件技術(shù)等，都是微電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，也是國際上最前沿、應(yīng)用前景最廣闊的技術(shù)之一。第三代半導(dǎo)體材料基于其特有的禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大等材料性能，在半導(dǎo)體技術(shù)、光電子技術(shù)、電力電子技術(shù)、微波射頻技術(shù)、聲波濾波器運(yùn)用等諸多科研和應(yīng)用領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的發(fā)展空間與潛力，對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科技的進(jìn)步和發(fā)展越來越重要。
　　國內(nèi)針對第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的探究目前有較大進(jìn)展。國內(nèi)導(dǎo)電型的SiC，6英寸以及6英寸以下的材料幾乎可以達(dá)到與國外相同的水準(zhǔn)，GaN以及AIN也有長足的進(jìn)步，盡管工藝方面還有一些差距，但是制造分立器件品質(zhì)可以達(dá)標(biāo)。至于在滿足國內(nèi)巨大的市場需求方面，還有很大的發(fā)展空間。目前最先進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)，有許多還掌握在國外企業(yè)手中，國內(nèi)企業(yè)和研究人員都在探索屬于自己的技術(shù)方向，但國內(nèi)缺乏這種能夠結(jié)合產(chǎn)學(xué)經(jīng)驗(yàn)的參考書籍及國際前沿技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。本書的及時(shí)出版，恰恰給業(yè)界同人帶來了第三代半導(dǎo)體的技術(shù)路線參考。