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25N120-ASEMI高壓MOS管25N120

型號：25N120

品牌：ASEMI

封裝：TO-247

最大漏源電流：25A

漏源擊穿電壓：1200V

RDS（ON）Max：0.12Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的25N120 MOS管

??ASEMI品牌25N120是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了25N120的最大漏源電流25A，漏源擊穿電壓1200V.

?細節(jié)體現(xiàn)差距

25N120,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強。

25N120具體參數(shù)為：最大漏源電流：25A，漏源擊穿電壓：1200V，反向恢復時間： ns，封裝：TO-247