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TI的TPS63050芯片的DC-DC模塊設(shè)計(jì)與測試(二)

2023-06-14 06:14 作者:e小白官方  | 我要投稿

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1.升壓模式開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形

1.1 Boost模式PFM調(diào)制下的SW節(jié)點(diǎn)電壓

1.2 Boost模式PWM調(diào)制下的SW節(jié)點(diǎn)電壓

1.3升壓模式開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形分析

為了確保兩個(gè)MOS管不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通,在一個(gè)MOS管關(guān)斷時(shí),另一個(gè)MOS管不會(huì)立馬導(dǎo)通,而是會(huì)等待一段時(shí)間后再導(dǎo)通,這段時(shí)間被稱為死區(qū)時(shí)間。在死區(qū)時(shí)間內(nèi),兩個(gè)MOS管都關(guān)斷。
先從M1關(guān)斷,M2導(dǎo)通時(shí)開始分析,電路如下圖所示。此時(shí)SW節(jié)點(diǎn)電壓為MOS管導(dǎo)通壓降+VOUT,如上圖中的1所示。此時(shí),電感放電。

在M1導(dǎo)通和M2關(guān)斷前,兩個(gè)MOS管都會(huì)關(guān)斷。此時(shí),電感繼續(xù)釋放能量,電路如下圖所示。?可以看到此時(shí)SW節(jié)點(diǎn)的電壓為體二極管正向壓降+VOUT,由于體二極管正向壓降大于MOS管導(dǎo)通壓降,因此會(huì)出現(xiàn)上沖,如上圖中的2所示。

M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷時(shí),電路如下圖所示。此時(shí),SW節(jié)點(diǎn)電壓為MOS管導(dǎo)通壓降,電感儲(chǔ)能。如上圖中的3所示。

在M2導(dǎo)通,M1關(guān)斷前,兩個(gè)MOS管都會(huì)關(guān)斷。此時(shí)電感開始釋放能量,電路如下圖所示。SW節(jié)點(diǎn)電壓為體二極管正向壓降+VOUT,如上圖中的4所示。

2.降壓模式開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形

2.1 Buck模式PFM調(diào)制下的SW節(jié)點(diǎn)電壓

2.2 Buck模式PWM調(diào)制下的SW節(jié)點(diǎn)電壓

2.3降壓模式開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓波形分析

當(dāng)M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷時(shí),電路如下圖所示。此時(shí),SW節(jié)點(diǎn)電壓為VIN-MOS管導(dǎo)通壓降,如上圖中的1所示。電感儲(chǔ)能。

在M2導(dǎo)通,M1關(guān)斷前,兩個(gè)MOS管都會(huì)關(guān)斷,此時(shí)電感釋放能量。電路如下圖所示。此時(shí),SW節(jié)點(diǎn)電壓為負(fù)的二極管正向壓降,如上圖中的2所示。

M2導(dǎo)通,M1關(guān)斷,此時(shí)電感繼續(xù)釋放能量。電路如下圖所示。此時(shí),SW節(jié)點(diǎn)電壓為負(fù)的MOS管導(dǎo)通壓降,如上圖中的3所示。

在M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷前,兩個(gè)MOS管都會(huì)關(guān)閉,此時(shí)電感繼續(xù)釋放能量。電路如下圖所示。此時(shí),SW節(jié)點(diǎn)電壓為負(fù)的二極管正向壓降,如上圖中的4所示。


TI的TPS63050芯片的DC-DC模塊設(shè)計(jì)與測試(二)的評(píng)論 (共 條)

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