氧化/擴散/退火設(shè)備是半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的重要熱工藝設(shè)備。

氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面發(fā)生化學反應(yīng)形成氧化膜的過程。

擴散是指在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學特性。

退火是指加熱離子注入后的硅片，修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。

用于氧化/擴散/退火的基本設(shè)備有三種：臥式爐、立式爐和快速升溫爐（RTP）。根據(jù) 2018 年 Gartner 的數(shù)據(jù)，氧化/擴散/退火設(shè)備占晶圓制造（含先進封裝）設(shè)備的 3%左右。

氧化工藝

氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面發(fā)生化學反應(yīng)形成氧化膜的過程。氧化膜的用途廣泛，主要有以下幾個方面：

（1）保護器件免受劃傷和沾污；

（2）表面鈍化層；

（3）形成柵極氧化層或者作為存儲器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料；

（4）摻雜過程中的掩蔽層；

（5）金屬導(dǎo)電層之間的介質(zhì)層等等。

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